[发明专利]晶界层半导体陶瓷电容器制造方法无效
| 申请号： | 02115171.7 | 申请日： | 2002-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1389882A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 章士瀛;王振平;王守士 | 申请（专利权）人： | 广东南方宏明电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523077 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子元件技术领域,晶界层半导体陶瓷电容器按下列方法制成①按照配方范围0.95～1.05mol的SrCO3,0.95～1.05mol的TiO2,0.001～0.01mol的Nb2O5配制瓷料。②球磨成粉状,粒度<1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt%的助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO。⑤球磨成粉状,粒度<1um。⑥在球磨后的瓷料中,混合与其重量比为18～23wt%的聚乙烯醇溶液,然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下,在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时,然后将温度降至950℃～1100℃,在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电极。本发明原料成本低,总体工艺简单,低温一次烧成,介电性能参数优良,更重要的是它适宜产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 晶界层 半导体 陶瓷 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.晶界层半导体陶瓷电容器制造方法，其特征在于该方法按下列步骤依次完成：①按照配方范围：0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2，0.001～0.01mol的Nb2O5配制烧块。②球磨成粉状，粒度＜1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂PbO、Bi2O3、B2O3、CuO。⑤球磨成粉状，粒度＜1um。⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电极。
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