[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02116123.2 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1384545A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 细谷啓司;中岛健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;G11C11/02;G11C11/14;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置,包括在第一方向上延伸的第一布线(13);在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线(23);和在上述第一和第二布线(13、23)之间配置的磁致电阻效应元件,该磁致电阻效应元件具有第一部分和第二部分,上述第二部分与上述第二布线(23)相接且沿上述第二布线(23)从上述第一部分向外侧延伸。还涉及这样的半导体存储装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；和在上述第一和第二布线之间配置的磁致电阻效应元件，该磁致电阻效应元件具有第一部分和第二部分，上述第二部分与上述第二布线相接且沿上述第二布线从上述第一部分向外侧延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
