[发明专利]不连续式氮化物只读存储器的存储单元的制造方法

摘要

一种以自对准制程制造不连续式氮化物只读存储器的存储单元的方法。首先，提供基板并形成ONO层于基板上，ONO层具有上氧化物层、氮化物层及下氧化物层。接着，定义上氧化物层，然后，定义数个可弃式间隔物。接着，以自对准制程植入存储单元区块或内埋位线，然后，根据这些可弃式间隔物定义氮化物层。接着，根据不连续的氮化物层定义下氧化物层，用以形成不连续的数个柱状物，使得两个不连续柱状物之间形成通道。然后，形成数个通道氧化物于这些通道中，接着，形成氧化物层于这些不连续的通道氧化物上及氮化物层上。本发明可以解决电子被诱捕进入氮化物层的难题，并确实地控制植入物及ONO层的共有位置。

主权项

1、一种不连续式氮化物只读存储器的存储单元的制造方法，其特征在于是以自对准制程制造，包括下列步骤：提供一基板并形成一ONO层于该基板上，该ONO层具有一上氧化物层、一氮化物层及一下氧化物层；定义该上氧化物层；定义多个可弃式间隔物；以自对准制程植入一存储单元区块或一内埋位线；根据该多个可弃式间隔物定义该氮化物层；根据不连续的该氮化物层定义该下氧化物层，用以形成不连续的多个柱状物，使得两个不连续柱状物之间形成一通道；形成多个通道氧化物于该些通道中；以及形成一氧化物层于不连续的该多个通道氧化物上及该氮化物层上。