[发明专利]一种改善快闪存储器可靠性的方法

摘要

一种改善快闪存储器可靠性的方法，该方法包含有下列步骤：在一衬底上形成一堆叠层，该堆叠层包含有一第一多晶硅层以及形成于该第一多晶硅层上方的一牺牲层，并形成一覆盖于其上的HTO(高温氧化物)膜，之后在该HTO膜上沉积一介电层，湿法蚀刻该介电层以及该HTO膜，以暴露出部分该牺牲层，之后完全去除该牺牲层并进行至少一次酸液浸泡清洗工艺。该HTO膜可强化该介电层与该第一多晶硅层的界面，避免该介电层与该第一多晶硅层的界面在该酸液浸泡清洗过程中产生一酸侵蚀缝隙现象。

主权项

1.一种改善快闪存储器可靠性的方法，该方法包含有下列步骤：于一衬底上形成一堆叠层，该堆叠层包含有一第一多晶硅层以及一牺牲层形成于该第一多晶硅层的上方；形成一高温氧化物膜，覆盖于该堆叠层表面以及该衬底表面上；于该高温氧化物膜上沉积一介电层，其中该衬底上方的该介电层厚度大于该第一多晶硅层厚度，但是低于该牺牲层顶端高度；部分去除该介电层以及该高温氧化物膜，以暴露出部分该牺牲层；以及完全去除该牺牲层；其中该高温氧化物膜可强化该介电层与该第一多晶硅层的界面，避免该介电层与该第一多晶硅层的界面于该酸液浸泡清洗工艺过程中产生一酸侵蚀缝隙现象。