[发明专利]非导体表面金属化的方法无效
申请号: | 02116266.2 | 申请日: | 2002-03-28 |
公开(公告)号: | CN1448537A | 公开(公告)日: | 2003-10-15 |
发明(设计)人: | 叶日豪 | 申请(专利权)人: | 陈平助 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/38;H05K3/42 |
代理公司: | 长春市吉利专利事务所 | 代理人: | 王大珠 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种非导体表面金属化的方法,其目的在应用于双面及多层印刷线路板的改良制程方面,可藉由取消传统添加平整剂制程步骤,并同时采用胶体钯活化剂及离子钯活化剂,利用其具有催化化学铜槽的沉铜反应特性,而使非导体表面(如:孔壁处)的沉铜更均匀,提供一种容易控制、可靠性佳的非导体表面金属化方法。 | ||
搜索关键词: | 非导体 表面 金属化 方法 | ||
【主权项】:
1、一种非导体表面金属化的方法,该方法依序包括下列步骤:(1)微蚀处理将带有铜或铜合金表面的线路板,以有效剂量的硫酸与双氧水或过硫酸钠与硫酸的水溶液处理,使铜表面咬蚀20~50微英寸,通常在25~45℃的温度下进行0.5~2.0分钟;微蚀后的线路板,通常须经两道逆流水洗以清除表面所带有的微蚀剂;(2)胶体钯预活化处理以胶体钯活化剂配制盐配成槽液,该槽液只含配制盐不含胶体钯,微蚀处理后的线路板在室温下,在该槽液中浸泡0.5~1.0分钟;(3)胶体钯活化处理线路板经预活化处理后,不须水洗,直接浸入胶体钯活化剂中,在40~50℃的温度下,浸泡4~6分钟后,经两道逆流水洗以清除表面所带有的胶体钯活化槽液;(4)离子钯预活化处理以离子钯活化剂配制盐配成槽液,槽液中只含配制盐,不含离子钯,经胶体钯活化处理后的线路板在室温下在该槽液中浸泡0.5~1.0分钟;(5)离子钯活化处理线路板经离子钯预活化处理后,不须水洗,直接浸入离子钯活化剂,在40~50℃的温度下,浸泡4~6分钟后,经两道逆流水洗以清除表面所带有的离子钯活化槽液;(6)还原处理经离子钯活化处理后的线路板,浸入二甲基胺硼烷及氢氧化钠的还原剂槽,在30~40℃的温度下,浸泡4~6分钟后,使离子钯还原成钯原子后,经两道逆流水洗以清除表面所含带的还原剂槽液;(7)化学铜沉积处理该化学铜沉积处理采用一般通用的化学铜,其主要成分有铜离子源即硫酸铜、氯化铜;还原剂,即甲醛、二甲基胺硼烷;错合剂即酒石酸钾钠、乙二胺四乙酸;PH值调整剂即氢氧化钠、氢氧化钾;及特定的添加剂;经还原处理后的线路板浸入化学铜槽,在25~35℃的温度下,进行10~20分钟的沉铜至孔壁完全被沉铜覆盖为止。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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