[发明专利]具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器,它具有比SRAM快的存取时间、与DRAM相似的高密度以及类似快闪存储器的非易失性的特性。磁性随机存取存储器包括一个垂直结构晶体管、一条包括该晶体管的第一字线、一条连接该晶体管的接触线、一个沉积在接触线上的磁性隧道结单元、一个形成在磁性隧道结单元上的位线,以及一条形成在磁性隧道结单元位置处的位线上的第二字线。通过这种公开的结构,在使用简化的制造过程的同时,可以提高半导体器件的集成密度、提高短沟道效应,并提高电阻的控制率。

主权项

1.一种磁性随机存取存储器，包括：一个垂直结构晶体管；一条连接到形成在垂直结构晶体管的侧壁处的栅电极的读取线；形成在漏极结区上的磁性隧道结单元，该漏极结区存在于垂直结构的上部之上；以及一条形成在磁性隧道结单元上部上的写入线。