[发明专利]一种减小霍尔器件失调电压的方法无效
| 申请号： | 02116445.2 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1450672A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑一阳;韩海;景士平;梁平 | 申请（专利权）人： | 北京华源科半光电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低失调电压的砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，在基片上蒸镀氧化硅形成器件图形，然后再用离子注入技术在图形中形成高浓度有源区，最后蒸镀电极构成霍尔器件的芯片。本发明所述的工艺图形精确，各向同性，由此制备的霍尔器件失调电压很小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 霍尔 器件 失调 电压 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有低失调电压的离子注入型砷化镓霍尔器件芯片的制备工艺方法，其特征在于：(1)在砷化镓基片上有选择地蒸镀氧化硅形成霍尔器件的图形；(2)用离子注入方法在图形中注入离子构成高浓度有源区；(3)蒸镀金属电极。
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