[发明专利]高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺无效
| 申请号： | 02116446.0 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1450670A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑一阳;韩海;景士平;梁平 | 申请（专利权）人： | 北京华源科半光电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;G01R15/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法，使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，根据器件符合线性的程度调节减薄的深度，直到器件具有良好的线性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 度砷化镓 霍尔 器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种高线性度的砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，其特征在于：对于具有适当深度的高浓度有源区的离子注入型砷化镓霍尔器件，使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，根据器件符合线性的程度调节减薄的深度，直到器件具有良好的线性特性。
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