[发明专利]一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法无效
| 申请号： | 02116447.9 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1450671A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑一阳;韩海;景士平;梁平 | 申请（专利权）人： | 北京华源科半光电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，采用特别的电极图形，使在金属电极与有源区接触的界面区域，形成一个宽度为10μm的过渡区，有源器件在该过渡区域的宽度逐渐改变，从而避免区域容易发生击穿的缺陷，大大提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 霍尔 器件 抗静电 击穿 能力 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，其特征在于：采用特别的电极图形，使电极与有源区的界面不在宽度发生变化的位置，而是向电极方向扩展构成一个过渡区，使有源器件在该过渡区域的宽度逐渐改变。
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