[发明专利]集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法

摘要

一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5％(体积％)的FA/O活性剂水溶液的槽内，上、下提放至少三次，在槽内放置7天以内，取出再进行正常清洗。本方法工艺简单，效率高，成本低，不存在刷片损伤、划伤等现象，存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。

主权项

1、一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，其特征在于：其方法步骤如下：(1)将浓度为体积的0.01～5％的FA/O活性剂水溶液放入槽内，其中FA/O活性剂由脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯烷基胺、十三个螯合环的羟胺、乙二胺四乙酸胺、四羟乙基乙二胺、六羟丙基丙二胺及去离子水组成；(2)将新抛光硅单晶片放入硅片花篮内；(3)将花篮放入盛有FA/O活性剂水溶液的槽内，并上、下提放至少三次；(4)新抛光硅单晶片陆续在槽内放置7天以内，取出再集中进行正常清洗。