[发明专利]高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法无效
| 申请号： | 02117329.X | 申请日： | 2002-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1167140C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;郭文平;胡卉;孙长征;郝智彪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法，属于光电子材料技术领域。本发明的特征是在待外延生长的蓝宝石衬底表面刻上将蓝宝石衬底表面分成许多小块的沟槽，沟槽宽为20-200微米，深为0.001-300微米，沟槽间距为150-10000微米。本发明的另一种处理方法是先在待外延生长的蓝宝石表面上沉积薄膜，然后在薄膜上刻有许多小块的沟槽，沟槽深度达到蓝宝石衬底的表面，沟槽宽为150-10000微米，沟槽间距为20-200微米。用本发明制备的外延片衬底制作发光二极管，可大幅度降低外延生长过程中外延层与衬底之间的应力积累，进而可获得高亮度及均匀性良好的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 氮化 发光二极管 外延 衬底 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法，含有在待外延生长的蓝宝石衬底表面上刻上许多沟槽，其特征在于：所述方法是在待外延生长的蓝宝石衬底表面刻上将蓝宝石衬底表面分成许多小块的沟槽，所述沟槽宽为(20-200)微米，深为(0.001-300)微米，沟槽间距为(150-10000)微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02117329.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
