[发明专利]磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管无效
申请号: | 02117379.6 | 申请日: | 2002-05-21 |
公开(公告)号: | CN1459873A | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
发明(设计)人: | 石瑞英;刘训春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子中心 |
主分类号: | H01L29/737 | 分类号: | H01L29/737 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管,其中包括:一衬底;该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区;该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区;该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区,基区上面是磷化铟发射区;最上面一层是作欧姆接触层。 | ||
搜索关键词: | 磷化 铟镓砷锑 铟双异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】:
1、一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管,其特征在于,其中包括:一衬底;该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区;该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区;该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区,基区上面是磷化铟发射区;最上面一层是作欧姆接触层。
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