[发明专利]磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管无效

专利信息
申请号: 02117379.6 申请日: 2002-05-21
公开(公告)号: CN1459873A 公开(公告)日: 2003-12-03
发明(设计)人: 石瑞英;刘训春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子中心
主分类号: H01L29/737 分类号: H01L29/737
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管,其中包括:一衬底;该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区;该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区;该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区,基区上面是磷化铟发射区;最上面一层是作欧姆接触层。
搜索关键词: 磷化 铟镓砷锑 铟双异质结 双极晶体管
【主权项】:
1、一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管,其特征在于,其中包括:一衬底;该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区;该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区;该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区,基区上面是磷化铟发射区;最上面一层是作欧姆接触层。
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