[发明专利]室温发光硅基法布里－珀罗(F－P)微腔器件无效
| 申请号： | 02117423.7 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1162734C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 岳瑞峰;王燕;但亚平;刘理天;姚永昭 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/35;G02B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 室温发光硅基法布里-珀罗微腔器件属于硅基光电子器件领域，其特征在于它含有两个由a-Si∶H薄膜和a-SiOxNy∶H薄膜交替生长制备的a-Si∶H/a-SiOxNy∶H布拉格反射器(DBR)，放在上述两个布拉格反射器中间的a-SiCx∶H光发射层，其中x、y表示含量。a-SiOxNy∶H可以是a-SiO2∶H，a-SiCx∶H中x可以是微量；衬底是硅。a-Si∶H、a-SiOxNy∶H和a-SiCx∶H都是使用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶薄膜材料。所述的反射器在顶部是6层薄膜，底部是7层薄膜。与其它同类室温发光的硅基光电子器件相比，它具有发光波长可调，易于制作，成本低，能与常规微电子工艺兼容等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 发光 硅基法布里 珀罗 器件 | ||
【主权项】：
1.室温发光硅基法布里-珀罗微腔器件，含有顶部和底部两个布拉格反射器、放在它们中间的光发射层和衬底，其特征在于：所述的两个布拉格反射器都是由a-Si∶H薄膜和a-SiOxNy∶H薄膜交替淀积形成的多层膜构成，x、y表示含量；所述光发射层是a-SiCx∶H薄膜，x表示含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02117423.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
