[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法有效
申请号: | 02118036.9 | 申请日: | 2002-04-18 |
公开(公告)号: | CN1452237A | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 张庆裕 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8246 | 分类号: | H01L21/8246 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种罩幕式只读存储器的制造方法,此方法提供已形成栅极介电层、埋入式位线的基底,接着于基底上形成字符线与字符线上的条状前置层,再定义条状前置层以形成多个前置编码凸块。然后,于前置编码凸块的间隙形成介电层,再于介电层与前置编码凸块上形成具有多个编码开口的罩幕层,且于编码开口中暴露出部分的前置编码凸块。其后,完全去除编码开口所暴露的前置编码凸块以形成前置编码开口。之后,于去除罩幕层后,再以介电层为编码罩幕,进行编码工艺以于基底中形成编码掺杂区。 | ||
搜索关键词: | 罩幕式 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种罩幕式只读存储器的制造方法,其特征是,该方法包括:提供一基底,且该基底已形成一栅极介电层、一埋入式位线;于该基底上形成一字符线与该字符线上的一条状前置层;定义该条状前置层以形成多个前置编码凸块;于该些前置编码凸块的间隙形成一介电层;于该介电层与该些前置编码凸块上形成具有多个编码开口的一罩幕层,并于该些编码开口中暴露出该些前置编码凸块;完全去除该些编码开口所暴露的该些前置编码凸块,以形成多个前置编码开口;去除该罩幕层;以及以该介电层为罩幕,进行一编码工艺以于该基底中形成一编码掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造