[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法有效

专利信息
申请号: 02118036.9 申请日: 2002-04-18
公开(公告)号: CN1452237A 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 张庆裕 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8246 分类号: H01L21/8246
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种罩幕式只读存储器的制造方法,此方法提供已形成栅极介电层、埋入式位线的基底,接着于基底上形成字符线与字符线上的条状前置层,再定义条状前置层以形成多个前置编码凸块。然后,于前置编码凸块的间隙形成介电层,再于介电层与前置编码凸块上形成具有多个编码开口的罩幕层,且于编码开口中暴露出部分的前置编码凸块。其后,完全去除编码开口所暴露的前置编码凸块以形成前置编码开口。之后,于去除罩幕层后,再以介电层为编码罩幕,进行编码工艺以于基底中形成编码掺杂区。
搜索关键词: 罩幕式 只读存储器 制造 方法
【主权项】:
1.一种罩幕式只读存储器的制造方法,其特征是,该方法包括:提供一基底,且该基底已形成一栅极介电层、一埋入式位线;于该基底上形成一字符线与该字符线上的一条状前置层;定义该条状前置层以形成多个前置编码凸块;于该些前置编码凸块的间隙形成一介电层;于该介电层与该些前置编码凸块上形成具有多个编码开口的一罩幕层,并于该些编码开口中暴露出该些前置编码凸块;完全去除该些编码开口所暴露的该些前置编码凸块,以形成多个前置编码开口;去除该罩幕层;以及以该介电层为罩幕,进行一编码工艺以于该基底中形成一编码掺杂区。
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