[发明专利]氮化硅只读存储器的制造方法有效
| 申请号： | 02118038.5 | 申请日： | 2002-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1452238A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏;潘锡树;黄守伟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化硅只读存储器的制造方法，此方法是在基底上形成由绝缘层－电荷陷入层－绝缘层所组成的陷入介电层夹层结构(Trappingdielectricsandwiched)，接着在电荷陷入层上的绝缘层以及电荷陷入层中形成内凹开口。然后，在内凹开口中形成热氧化层与开口侧壁密合，以将电荷陷入层封闭于绝缘层与热氧化层内，而能够避免后续形成的控制闸与电荷陷入层接触，进而防止储存数据的流失。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该方法至少包括：提供一基底；在该基底上形成一第一绝缘层；在该第一绝缘层上形成一氮化硅电荷陷入层(Chargetrappinglayer)；在该氮化硅电荷陷入层上形成一第二绝缘层；在该第二绝缘层上形成一图案转移层；以该图案转移层为罩幕，蚀刻去除部份该第二绝缘层、该氮化硅电荷陷入层以形成一开口；去除该图案转移层；去除该开口侧壁的部份该氮化硅电荷陷入层，以使该开口侧壁形成一内凹(Notch)结构；在该开口中形成一热氧化层以作为一埋入式漏极绝缘层，其中该热氧化层与该开口侧壁密合；以及在该基底上形成一导电层，以作为控制闸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02118038.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
