[发明专利]自行对准金属硅化物的制造方法无效
| 申请号： | 02118192.6 | 申请日： | 2002-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1453837A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自行对准金属硅化物的制造方法，此方法是依序先于基底上形成栅极结构与源极/漏极区。之后，再进行离子植入步骤，以于栅极结构表面与源极/漏极区表面植入金属离子。然后进行两次热处理过程，使金属离子与栅极结构表面与源极/漏极区表面的硅产生硅化反应而于栅极结构表面和源极/漏极区表面形成高导电性的金属硅化物层。其中，金属离子可为钴、钛、镍、铂或是钯。 | ||
| 搜索关键词： | 自行 对准 金属硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自行对准金属硅化物的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一基底，在该基底上已形成一栅极结构以及一源极/漏极区；进行一离子植入步骤，于该栅极结构表面与该源极/漏极区表面植入一金属离子；以及进行一热过程，使该金属离子与该栅极结构表面与该源极/漏极区表面的硅产生硅化反应以于该栅极结构表面和该源极/漏极区表面形成一金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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