[发明专利]有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法有效
| 申请号： | 02118352.X | 申请日： | 2002-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1405866A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 彼得·拉布金;王兴亚;周开诚 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8239;H01L29/78;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 按本发明的一个实施例，半导体晶体管的制造方法包括半导体本体区上形成与其绝缘的栅极；沿栅极侧壁形成位移隔离层；所述位移隔离层形成后，本体区中形成源区和漏区，所以，栅极与各源区和漏区之间的重叠程度与位移隔离层厚度有关。另一实施例中，非易失性存储器单元的制造方法包括半导体本体区上形成与其绝缘的第1多晶硅层；第1多晶硅层上形成与其绝缘的第2多晶硅层；至少沿第1和第2多晶硅层的一个侧壁形成位移隔离层；所述位移隔离层形成后，本体区中形成源区和漏区中的至少一个区，所以，第1多晶硅层与所述源区和漏区之一之间的重叠程度与位移隔离层厚度相关。 | ||
| 搜索关键词： | 超短 特征 晶体管 存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管的制造方法，包括：在半导体本体区上形成与其绝缘的栅极；沿栅极侧壁形成位移隔离层；和在位移隔离层形成后，在本体区中形成源区和漏区，从而，栅极与各个源区和漏区之间的重叠程度依赖于位移隔离层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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