[发明专利]半导体器件及其制造方法和喷液设备无效
| 申请号： | 02118358.9 | 申请日： | 2002-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1375879A | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 下津佐峰生 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/82;B41J2/01 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件中,在公共衬底上形成允许电流流到负载的开关元件及其驱动电路。用DMOS晶体管形成开关元件,开关元件驱动电路包括与DMOS晶体管特性不同的MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.半导体器件，其中，在公共衬底上形成允许电流流到负载的开关元件和开关元件驱动电路，其中，所述开关元件是第1绝缘栅晶体管，它包括：位于第1导电类型的半导体衬底的一个主表面的第2导电类型的第1半导体区；位于第1半导体区内的第1导电类型的第2半导体区；介以绝缘膜，位于第2半导体区与第1半导体区之间的PN结终止的表面上的第1栅电极；第2导电类型的第1源区，它位于所述第2半导体区中的所述第1栅电极的一个端部边上；和第2导电类型的第1漏区，它位于所述第1半导体区内；和其中，所述开关元件驱动电路包括特性与所述第1绝缘栅晶体管不同的第2绝缘栅晶体管。
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