[发明专利]具有改良稳定性的金氧半场效元件的制造方法无效
| 申请号： | 02118602.2 | 申请日： | 2002-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1453838A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王腾锋;陈隆;徐震球 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有改良稳定性的金氧半场效元件的制造方法。首先，提供一半导体基底。其次，依据一临界尺寸形成一闸极电极于该半导体基底上，其中该闸极电极具有一闸极氧化物层及一导体闸极。接着，量测该导体闸极的实际尺寸。之后，依据该导体闸极的实际尺寸决定后续形成的导体闸极侧壁层的一特定厚度，以降低该金氧半场效元件受该导体闸极的临界尺寸所影响的电性变化。最后，于该闸极电极侧壁形成具有该特定厚度的导体闸极侧壁层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 稳定性 半场 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有改良稳定性的金氧半场效元件的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；依据一临界尺寸形成一闸极电极于该半导体基底上，其中该闸极电极具有一闸极氧化物层及一导体闸极；量测该导体闸极的实际尺寸；依据该导体闸极的实际尺寸决定后续形成的导体闸极侧壁层的一特定厚度，以降低该金氧半场效元件受该导体闸极的临界尺寸所影响的电性变化；以及于该闸极电极侧壁形成具有该特定厚度的导体闸极侧壁层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽统科技股份有限公司，未经矽统科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02118602.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：易绕式排线及方法
- 下一篇：金属硅化物的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
