[发明专利]具有动态老化测试功能的单片机及其动态老化测试方法无效
申请号: | 02118613.8 | 申请日: | 2002-04-25 |
公开(公告)号: | CN1383156A | 公开(公告)日: | 2002-12-04 |
发明(设计)人: | 上村亮平 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C16/06;G06F11/22 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,方挺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在包括非易失性半导体存储装置(11A,11B)和用于对非易失性半导体存储装置分别执行写入操作、读出操作和擦除操作的写入、读出和擦除电路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)的单片机中,序列发生器(15A,15B)连接在写入、读出和擦除电路与接口(16A,16B)之间。序列发生器通过接口从外部接收第一数据并把第一数据写入非易失性半导体存储装置中,从非易失性半导体存储装置读出第一数据,把所述第一数据与通过所述接口从外部读出的第二数据进行比较,由此执行对非易失性半导体存储装置的验证,从非易失性半导体存储装置读出第三数据,并通过接口把第三数据传输到外部。 | ||
搜索关键词: | 具有 动态 老化 测试 功能 单片机 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单片机,包括:非易失性半导体存储装置(11A,11B);写入、读出和擦除电路(12A、12B、13A、13B、14A、14B),与所述非易失性半导体存储装置相连,用于对所述非易失性半导体存储装置分别执行写入操作、读出操作和擦除操作;接口(16A,16B);序列发生器,连接在所述写入、读出和擦除电路与所述接口之间,用于通过所述接口从外部接收第一数据并把所述第一数据写入所述非易失性半导体存储装置中,从所述非易失性半导体存储装置读出所述第一数据以把所述第一数据与通过所述接口从外部读取的第二数据进行比较,由此执行对所述非易失性半导体存储装置的验证,从所述非易失性半导体存储装置读出第三数据,并通过所述接口把第三数据传输到外部。
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