[发明专利]金属硅化物的制造方法无效
| 申请号： | 02118617.0 | 申请日： | 2002-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1453839A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种金属硅化物的制造方法，于具有闸极与汲极/源极的硅基底表面全面性形成金属层，且闸极侧壁具有间隔物；实施第一热处理程序，使金属层与闸极及汲极/源极表面的硅反应形成金属硅化物；去除未参予反应的金属层部分与间隔物；实施离子布植程序；再实施第二热处理程序。具有避免过度消耗硅基底而造成接合漏电的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属硅化物的制造方法，其特征是：它包括如下步骤：(1)提供一硅基底，所述硅基底表面形成有闸极与汲极/源极，所述闸极侧壁具有一间隔物；(2)顺应性形成一金属层于所述闸极、间隔物与源极/汲极表面；(3)实施第一热处理程序，使所述金属层与闸极及汲极/源极表面的硅反应，而形成金属硅化物；(4)去除未参予反应的所述金属层与间隔物；(5)导入一含硅离子于所述汲极/源极表面；(6)实施第二热处理程序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
