[发明专利]多晶金膜的电化学表面纳米处理方法无效
| 申请号： | 02118756.8 | 申请日： | 2002-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1151317C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 董绍俊;金永东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于多晶金膜的电化学表面纳米处理方法。将化学镀法制备的厚度为50～100nm的多晶金膜作为工作电极，在0.4～0.8mM Ag2SO4的0.1M H2SO4溶液中进行银欠电位沉积与溶出处理，通过控制欠电位沉积与溶出的电极电位和次数，即可获得表面等离子体共振响应改变的、颗粒形貌尺寸更为均一光滑且表面原子基本上为金(111)取向排列的金膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电化学 表面 纳米 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶金膜的电化学表面纳米处理方法，其特征在于选择化学镀法制备的厚度为50～100nm的多晶金膜作为工作电极，以KCl饱和的Ag/AgCl电极为参比电极，Pt片为对极，在含0.4～0.8mMAg2SO4的0.1M H2SO4溶液中，于0～+0.70 V之间以20mV/s的扫描速度进行10-50次连续反复的银欠电位沉积与溶出，最后溶出银单分子层；控制欠电位沉积与溶出的次数，使表面等离子体共振角度发生选择性的移动。
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