[发明专利]法拉第装置有效
| 申请号： | 02118812.2 | 申请日： | 2002-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1384525A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 井内裕;前野修一;安东靖典;松田恭博 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李瑞海,王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 现有技术的法拉第装置中,仍有部分等离子体能够到达法拉第杯,因而影响了离子束电流的测量精度。本发明提供了一种法拉第装置,其中设置了一对磁体,用于在所述孔径附近产生一个具有横跨所述障板孔径的方向的磁场,于是射束等离子体和障板表面附近产生的等离子体不能到达正偏置电极。由此减少了包含于等离子体中的离子被抑制器电极的负电压吸引并被入射到法拉第杯上的机会,因而减少了束电流测量中的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 法拉第 装置 | ||
【主权项】：
1.一种法拉第装置，包括：一个障板，具有一个孔径，用于决定穿过所述孔径的离子束面积；一个法拉第杯，用于接收穿过所述障板的离子束；一个抑制器电极，设置在所述法拉第杯和所述障板之间，所述抑制器电极被施以负电压；一个正偏置电极，设置在所述抑制器电极和所述障板之间，所述正偏置电极被施以正电压；和一对磁体，用于在所述孔径附近产生一个具有横跨所述障板孔径的方向的磁场。
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