[发明专利]具有低孔隙度高掺杂接触层的硅发射体无效
| 申请号： | 02118885.8 | 申请日： | 2002-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1384520A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | X·圣;N·科施达;H·P·郭 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01J1/308 | 分类号： | H01J1/308 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,谭明胜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高发射电子发射体。该高发射电子发射体10包括电子注射层1、与电子注入层1接触的高孔隙度多孔硅材料的活性层3与活性层3接触的低孔隙度多孔硅材料的接触层5并包括带高掺杂区8的界面表面12、和还可有与接触层5接触的顶电极7。接触层5降低活性层3和顶电极7之间的接触电阻,而且高掺杂区8降低接触层5的电阻率,从而增高电子发射率和顶电极7的稳定电子发射。本发明还涉及一种制造高发射电子发射体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 孔隙 掺杂 接触 发射 | ||
【主权项】：
1.一种高发射电子发射体10，它包括：电子注入层1，包括正面表面2和背面表面4，高孔隙度多孔硅材料的活性层3，它与正面表面2接触；低孔隙度多孔硅材料的接触层5，它与活性层接触，并包括界面表面12；和n-型高掺杂区8，它延伸入界面表面12，该n-型高掺杂区8的特征是低孔隙度。
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