[发明专利]自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种具有自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法，首先，提供一表面形成有长条硬掩膜(mask)的半导体基底，然后利用上述硬掩膜为遮蔽物，以蚀刻上述半导体基底而形成一沟槽。接着在上述沟槽内形成上表面与上述硬掩膜上表面略为等高的氧化物。然后去除上述硬掩膜，使得填入上述沟槽的氧化物之间形成一凹处，其次，全面性沉积第一复晶硅层以填入上述凹处。然后平坦化上述第一复晶硅层，以在第一方向形成上表面与上述氧化物的上表面略为等高的第一复晶硅长条物，然后选择性蚀刻上述第一复晶硅长条物以形成漂浮栅极区块，并且露出部分半导体基底。

主权项

1.一种具有自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法，包括下列步骤：(a)提供一表面形成有长条硬掩膜的半导体基底；(b)利用上述硬掩膜为遮蔽物，以蚀刻上述半导体基底而形成一沟槽；(c)在上述沟槽内形成上表面与上述硬掩膜上表面略为等高的氧化物；(d)去除上述硬掩膜，使得填入上述沟槽的氧化物之间形成一凹处；(e)全面性沉积第一复晶硅层以填入上述凹处；(f)平坦化上述第一复晶硅层，以在第一方向形成上表面与上述氧化物的上表面略为等高的第一复晶硅长条物；(g)选择性蚀刻上述第一复晶硅长条物以形成漂浮栅极区块，并且露出部分半导体基底；(h)在上述漂浮栅极区块表面形成一复晶硅间绝缘层；(i)全面性沉积第二复晶硅层，以覆盖上述复晶硅间绝缘层；以及(j)选择性蚀刻上述第二复晶硅层，以在第二方向形成第二复晶硅长条，来当作控制栅极。