[发明专利]降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法有效
| 申请号： | 02119353.3 | 申请日： | 2002-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1458672A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈启群;张文;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/768;C09K3/14;C09K15/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法。此方法包含，利用研浆进行晶片研磨，再利用去离子水研磨及清洗晶片的表面，再将晶片升起，以去离子水由下向上的方向清洗晶片的表面消除晶片表面的研浆残留，降下晶片并利用去离子水再次研磨及清洗晶片。本发明的方法，大幅降低铜制程的化学机械研磨制造方法中的研浆残留的问题，使得生产品质大幅的提高，生产的成本因而降低，产量得以大幅的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 铜制 化学 机械 研磨 缺陷 残留 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法，是使用于化学机械研磨机台来进行晶片的全面平坦化制造过程中，该方法至少包含：利用研浆进行该晶片研磨；利用去离子水第一次研磨及清洗该晶片；升起该晶片；利用去离子水由下向上的方向清洗该晶片；降下该晶片；及利用去离子水第二次研磨及清洗该晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
