[发明专利]半导体组件之金属熔丝结构及其制造方法有效
| 申请号： | 02119721.0 | 申请日： | 2002-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1459831A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;吴集锡;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3205;H01L23/58;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体组件之金属熔丝结构及其制造方法，其是形成有易于熔断的弱连结部分而不需要增加额外的曝光、蚀刻及沉积等制程；根据本发明，可借由在熔丝蚀刻期间于介电层中蚀刻至少一沟渠以及溅镀一金属层，以在沟渠侧壁产生一或多个具低阶梯覆盖的弱连结部分的金属熔丝；根据本发明，还可借由在半导体集成电路的布局中，于熔丝中设计一较窄宽度的熔丝颈部以形成具弱连结部分的熔丝；相较于习用具均一宽度的金属熔丝，依据本发明所形成的具弱连结部分的金属熔丝是较易由激光束熔断而获致较佳的熔断良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 金属 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属熔丝的制造方法，该方法至少包括下列步骤：形成一第一介电层于一半导体基材上，其中该第一介电层中埋设有导线层；形成一第二介电层于该第一介电层上；形成至少一孔洞于该第二介电层中；以及形成一具低阶梯覆盖的金属层于该第二介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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