[发明专利]罩幕式只读存储器及其制造方法

摘要

本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。

主权项

1.一种罩幕式只读存储器，可分为一记忆胞区和一周边电路区，至少包括：一第一埋入式N型掺杂层，位于该记忆胞区，且具有一第一端和一第二端，该第一埋入式N型掺杂层的该第一端延伸至该周边电路区；一第二埋入式N型掺杂层，位于该记忆胞区，且具有与该第一埋入式N型掺杂层的该第一端同一侧的一第一端，以及具有与该第一埋入式N型掺杂层的该第二端同一侧的一第二端，该第二埋入式N型掺杂层的该第二端延伸至该周边电路区，其中该第一埋入式N型掺杂层和该第二埋入式N型掺杂层互相平行；一第一接触窗，位于该第一埋入式N型掺杂层的该第一端；一第二接触窗，位于该第二埋入式N型掺杂层的该第二端；以及一闸极，与该第一和该第二埋入式N型掺杂层垂直。