[发明专利]磁阻元件,具有其的存储元件及使用该存储元件的存储器无效
| 申请号： | 02119828.4 | 申请日： | 2002-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1384503A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 池田贵司;小金井昭雄;冈野一久 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁阻膜,包括一非磁膜,磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置,该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器,磁元件,磁阻元件以及磁元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 具有 存储 使用 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻膜，包括：一非磁膜；以及一结构，其中，磁膜形成在所述非磁膜的两侧，其特征在于，至少所述磁膜之一包括一垂直磁化膜；而且，一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置，其易磁化轴从垂直于膜表面的方向倾斜。
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