[发明专利]具有P型浮置栅极的非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种具有P型浮置栅极的非挥发性内存的制造方法，其首先在一基底上形成一隧穿层，并且在隧穿层上形成一第一多晶硅层。接着，在第一多晶硅层两侧的基底中形成一埋入式漏极，再于埋入式漏极上方的隧穿层上形成一绝缘结构。之后，在第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层，其中第一多晶硅层与第二多晶硅层共同作为一浮置栅极。接着，在第二多晶硅层中植入一P型离子。并且依序于浮置栅极上形成一介电层以及一控制栅极。之后，利用一热工艺，以使第二多晶硅层中的P型离子扩散至第一多晶硅层。

主权项

1.一种具有P型浮置栅极的非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：在一基底上形成一隧穿层；在该隧穿层上形成图案化的一第一导电层；在该第一导电层两侧的该基底中形成一埋入式漏极；在该埋入式漏极上方的该隧穿层上形成一绝缘结构；在该第一导电层的表面上形成图案化的一第二导电层，其中该第一导电层与该第二导电层共同作为一浮置栅极；进行一P型离子植入步骤，以在该第二导电层中植入一P型离子；在该第二导电层与该绝缘结构的表面形成一介电层；以及在该介电层上形成一控制栅极。