[发明专利]具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置有效
| 申请号： | 02119916.7 | 申请日： | 2002-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1385860A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在读出数据之前,各位线(BL)及源线(SL)被预充电至电源电压(VDD)。在读出数据时,只在被选存储单元列内,对应的位线(BL)与数据总线(DB)耦合,同时对应的源线(SL)在接地电压(VSS)下被驱动。在非被选存储单元列中,各位线(BL)及源线(SL)保持预充电过的电源电压(VDD)。由于不直接作用于数据读出,在非被选存储单元列所对应的位线(BL)中不产生充放电电流,因而可以降低在数据读出时的消耗电力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁性 隧道 接合部 薄膜 磁体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁体存储装置，包括以下部分：多个存储单元，电阻值根据在附加磁场下写入的存储数据电平而变化；多条第1数据线，各条线按照上述多个存储单元对应的一定区间设置，用于在读出数据时读出上述存储数据电平；多条源线，分别与上述多条第1数据线对应配置，各源线在读出上述数据时通过从属于上述对应的一定区间的存储单元中选择出的一个与上述多条第1数据线中对应的1条实现电耦合；多个第1数据线选择部，分别与上述多条第1数据线对应配置，各上述第1数据线选择部，在读出上述数据之前对上述多条第1数据线中对应的1条预充电至第1电压，同时在读出上述数据时，使上述对应的1条第1数据线与上述第1电压电断离；多个源线选择部，分别与上述多条源线对应配置，各上述源线选择部包括：源线预充电部，用于在读出上述数据之前对上述多条源线中对应的1条预充电至第2电压；源线驱动部，用于在读出上述数据时使上述对应的1条源线与第3电压产生电耦合。
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