[发明专利]硅光电器件以及利用这种器件的发光设备无效
| 申请号： | 02120168.4 | 申请日： | 2002-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1431720A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 崔秉龙;南升浩;李银京;刘在镐;金俊永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 肖鹂,陈小雯 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n－型或p－型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p－n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 以及 利用 这种 发光 设备 | ||
【主权项】：
1.一种硅光电器件，包括：基于n-型或p-型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p-n结中通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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