[发明专利]形成倒装芯片式半导体封装的方法及其半导体封装和衬底有效

专利信息
申请号: 02120219.2 申请日: 2002-05-20
公开(公告)号: CN1387242A 公开(公告)日: 2002-12-25
发明(设计)人: 王铁;苗萍;陈在衡 申请(专利权)人: 爱的派克技术有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/14;H01L23/48
代理公司: 隆天国际专利商标代理有限公司 代理人: 楼仙英
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种形成倒装芯片式半导体封装的方法,特别是形成下填半导体封装的方法,其包含以下步骤提供具有隆起端子部分(305)的衬底(300),在衬底(300)上设置具有填充物(27)的下填化合物(5),在衬底(300)上放置隆起的半导体芯片(40),其中凸起(45)靠着隆起端子部分(305)的上表面(310),并回流该组件。在回流工艺期间,隆起端子部分(305)和凸起(45)熔化并使下填化合物(5)中的填充物(27)远离凸起(45)和隆起端子部分(305)之间位移。这防止了填充物(27)形成阻挡物。熔化的焊料形成焊盘(46)和隆起端子部分(305)之间的互连。
搜索关键词: 形成 倒装 芯片 半导体 封装 方法 及其 衬底
【主权项】:
1、一种形成倒装芯片式半导体封装的方法,该方法包含以下步骤:a)提供衬底,其第一表面具有多个隆起端子部分,其中多个隆起端子部分至少延伸到第一表面,每个隆起端子部分包含基部和自由端部,并且至少自由端部由具有第一回流温度的第一材料构成;b)提供在第一表面上具有多个焊盘的半导体芯片,其中多个焊盘上具有凸起,每个凸起包含一基部和一自由端部,至少多个凸起的自由端部由第一材料构成;c)提供下填化合物,其中下填化合物包含至少某种无机填充物以减小下填化合物的热膨胀系数;d)在衬底上设置下填化合物;e)在衬底上放置半导体芯片,下填化合物置于其间,其中多个凸起的自由端部靠着多个隆起端子部分的自由端部;和f)以基本上第一回流温度回流半导体芯片、衬底和下填化合物,以便将至少多个凸起的自由端部和至少多个隆起端子部分的自由端部形成为互连。
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