[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 02120295.8 | 申请日： | 2002-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1389928A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 山口进;丹生和男;星野康;水上雅文;权五凤 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡株式会社;海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器,包括一作为光电转换部分的光接收单元;一信号处理电路单元;一第一滤色镜层阵列和一第一微透镜阵列层,它们设置在光接收部分的上表面上;以及一包含滤色镜层和微透镜阵列层中的至少一种的第二层,该层设置在信号处理电路部分上表面的至少一部分的区域上。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括作为光电转换装置的光接收单元、以及一信号处理电路；还包括：一包含一滤色镜阵列和叠置其上的微透镜阵列的第一层，它们设置在光接收单元的上表面上；以及一包含滤色镜和微透镜阵列中的至少一种的第二层，该层设置在信号处理电路的上表面的至少一部分的区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
