[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02120360.1 | 申请日： | 2002-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1387238A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 和田幸久;久米聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/28;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法,在栅极的侧面上形成包含NSG膜、TEOS膜等的第一氧化膜和BPSG膜、PSG膜等的第二氧化膜的层叠膜侧壁。然后,在把层叠膜侧壁作为用于形成MIS晶体管的源、漏极的注入掩模使用后,在有选择地除去第二氧化膜时,用包含氢氟酸和醋酸或异丙醇的水溶液进行湿蚀刻。据此,使各氧化膜的蚀刻选择比增大,只除去上层的第二氧化膜。能避免蚀刻选择比劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在具有在半导体衬底上设置有栅绝缘膜和位于其上的栅极的MIS型晶体管的半导体装置的制造工序中，包括：在栅极的侧面上，形成包含蚀刻特性彼此不同的第一氧化膜和第二氧化膜的侧壁的工序(a)；把所述侧壁作为掩模，进行用于形成源、漏区域的离子注入的工序(b)；利用包含氢氟酸和有机溶液的混合溶液来蚀刻所述侧壁，从而有选择地除去所述第二氧化膜的工序(c)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
