[发明专利]磁阻元件、使用其的存储器元件以及相关记录/再现方法有效
| 申请号： | 02120600.7 | 申请日： | 2002-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1389870A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 西村直树;池田贵司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻元件,使用磁阻元件、使用磁阻元件的存储器元件以及用于该存储器元件的记录/再现方法,其中一磁阻元件包括第一、第二和第三磁层和非磁性层。第一磁层被垂直磁化到薄膜表面。第二磁层被垂直磁化到薄膜表面并具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力。非磁性层被插在第一和第二磁层间。第三磁层具有比所述第一磁层的矫顽力高的矫顽力并且逆平行地磁化到第二磁层。同时还公开了一种存储元件和记录/再现方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 使用 存储器 以及 相关 记录 再现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁阻元件，包括:一第一磁层，垂直于一薄膜平面磁化；一第二磁层，垂直于该薄膜表面磁化并且具有比所述第一磁层更高的矫顽力；一非磁性层，插入在所述第一磁层和第二磁层间；以及一第三磁层，具有比所述第一磁层更高的矫顽力且被逆平行于所述第二磁层磁化。
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