[发明专利]低介电常数材料以及通过CVD的加工方法无效
| 申请号： | 02120627.9 | 申请日： | 2002-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1389591A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | M·L·奥内尔;B·K·彼得森;J·L·文森特;R·N·弗蒂斯 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,邰红 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种有机氟硅酸盐玻璃薄膜,所述薄膜包含有机物和无机物,不包括明显量的氟碳物。优选的薄膜由下式表示SivOwCxHyFz,式中v+w+x+y+z=100%,v从10－35原子%,w从10－65原子%,y从10－50原子%,x从1－30原子%,z从0.1－15原子%,x/z任选地大于0.25,其中,基本上没有氟连接至碳上。另外本发明还提供了一种CVD方法,包括(a)在真空室内提供基材;(b)将气相反应剂引入真空室中,所述反应剂包含供氟气体、供氧气体、和至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体气体;和(c)对所述室中的气相反应剂施加能量,以使气相反应剂发生反应并在基材上形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 材料 以及 通过 cvd 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由式SivOwCxHyFz表示的薄膜，式中v+w+x+y+z＝100％，v从10-35原子％，w从10-65原子％，y从10-50原子％，x从2-30原子％，z从0.1-15原子％，其中，基本上没有氟连接至碳上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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