[发明专利]具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法。该存储器以半绝缘的GaAs作为衬底，在该衬底上制备出缓冲层，在该缓冲层上制备一层含硅δ掺杂的GaAs薄层，在该δ掺杂的GaAs层中刻蚀加工而成一根纳米线，该纳米线一端是数据线引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线两边平行的控制栅，存储单元为纳米线比控制栅长的部份，并伸入到碳纳米管晶体管的两电极之间。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响，解决了传统存储器发展中所面临的稳定性、功耗、散热和栅极漏电电流等若干方面的问题，可以实现低功耗下信息的超高密度存储。

主权项

1.一种具有碳纳米管结构的单电子存储器，包括以半绝缘的GaAs作为衬底，该衬底上有一个缓冲层和一个含硅δ掺杂的GaAs层，在含硅δ掺杂的GaAs层有一根经刻蚀加工形成的纳米线，所述的纳米线的一端是纳米线引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线平行的控制栅，其特征在于：还包括一存储单元和一碳纳米管晶体管，该存储单元为纳米线比控制栅长的部份，纳米线的延长部分伸入到碳纳米晶体管的两电极区之间，存储单元距碳纳米管的距离为1纳米至500微米，存储单元同时也是碳纳米管晶体管的栅极。