[发明专利]利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法无效
申请号: | 02120849.2 | 申请日: | 2002-06-05 |
公开(公告)号: | CN1464558A | 公开(公告)日: | 2003-12-31 |
发明(设计)人: | 孙劲鹏;王太宏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/70;B82B1/00;B82B3/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王凤华 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用碳纳米管制备的非挥发性随机存储器及制备方法,包括上下两层碳纳米管构成的阵列,每一层碳纳米管是一组平行的单壁碳纳米管,上下两层的碳纳米管之间相互垂直但不发生接触,两层碳纳米管的每个交叉结点构成存储器的一个存储单元。本发明公开了在制备该存储器的过程中各重要参数的取值原则和器件具有最优存储特性时的工作条件,解决了传统存储器在高密度集成中所遇到散热、功耗和稳定性等方面的问题。 | ||
搜索关键词: | 利用 纳米 设计 挥发性 随机 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用碳纳米管制备的非挥发性随机存储器,包括衬底,和在衬底上有上下两层的碳纳米管构成的阵列和绝缘支座;其中每一层碳纳米管是平行设置的,下层碳纳米管直接放置在衬底上,上层碳纳米管放置在绝缘支座上,上下两层的碳纳米管之间相互垂直并且彼此分离,两层碳纳米管的每个交叉结点构成存储器的一个独立存储单元,在上下两层中的每根碳纳米管的两端沉积有金属电极,其特征在于:所述的绝缘支座设置在每两根相邻的下层碳纳米管之间,并与下层碳纳米管平行取向,在每条绝缘支座上放置n根或n束碳纳米管;上下两层的碳纳米管之间的初始距离r0由上层碳纳米管的长度L,碳纳米管的弹性模量和转动惯量的乘积B以及支座的弹性模量k来决定取值范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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