[发明专利]利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种单电子动态随机存储器件及其制备方法。该器件以绝缘层上的硅SOI材料作为衬底，在SOI的硅层中刻蚀加工而成一根纳米线，该纳米线一端是数据线引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线两边平行的控制栅，还包括碳纳米管晶体管；存储单元为纳米线比控制栅长的部份，并伸入到碳纳米管晶体管的两电极区之间。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响，解决了传统存储器发展中所面临的稳定性、功耗、散热和栅极漏电电流等若干方面的问题，可以实现低功耗下信息的超高密度存储。

主权项

1.一种利用碳纳米管制备的单电子存储器，包括：以绝缘体上有一硅层的材料作为衬底，在绝缘体的硅层上刻蚀加工而成一纳米线和一碳纳米管晶体管；所述的纳米线的一端有一数据引脚，纳米线的两侧有两个与纳米线平行的控制栅，其特征在于：还包括一存储单元，该存储单元为纳米线比控制栅长的部份，并延伸到碳纳米晶体管的两电极区之间，存储单元距碳纳米管晶体管的碳纳米管的距离为1纳米至500微米，存储单元同时也是碳纳米管晶体管的栅极。