[发明专利]合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法

摘要

合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法，该方法是以过渡金属锌、镉、铅、锰、钴、镍、铜、银、锑、铋的可溶性盐(如硝酸盐、硫酸盐、氯化物)与亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐(如亚硒酸钠、亚硒酸铵)，或与亚碲酸或可溶性的亚碲酸盐(如亚碲酸钠、亚碲酸铵)为原料，以水合肼、硼氢化钠、硼氢化钾、羟胺或硫酸肼为还原剂，在密闭反应器中，于100～200℃温度条件下水热还原反应2小时到5天，可合成上述多种金属的硒化物、碲化物半导体材料。本发明克服了现有方法合成硒化物、碲化物半导体材料需要高温，原料剧毒，工艺复杂等问题；具有原料价廉易得，设备简单，易于实现控制，工艺重复性好，产品质量稳定，操作安全可靠的优点。

主权项

1.合成多种金属硒化物半导体材料的方法，其特征是：该方法以亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐为硒源，在水溶液中合成多种金属的硒化物，其具体工艺步骤如下：(1)将的过渡金属锌、镉、铅、锰、钴、镍、铜、银、锑或铋的可溶性盐溶于去离子水中制成澄清水溶液，其中可溶盐采用硝酸盐、硫酸盐或氯化物中的任一种；(2)按化学计量比将亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐及过量1-10倍的水合肼还原剂与步骤(1)中制备的澄清溶液混合，放入密闭反应器中，于100～200℃温度条件下水热还原反应2小时到5天，可合成所述金属离子硒化物的半导体材料，其中所述的亚硒酸盐为亚硒酸钠或亚硒酸铵。