[发明专利]一种制备氧化镁晶须的方法无效
| 申请号： | 02121350.X | 申请日： | 2002-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1463922A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王万平;张懿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02;C01F5/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备氧化镁晶须的方法。本方法以针状碳酸镁为原料，通过控制煅烧温度分解碳酸镁得到针状氧化镁和高温转变氧化镁晶体结构，得到白色疏松的氧化镁晶须材料。所得氧化镁晶须直径0.1～5μm，长度20～2000μm，用于陶瓷、高分子及金属基材料的增强，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化镁 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备氧化镁晶须的方法，其特征是包括以下步骤：一碳酸镁分解为氧化镁将针状碳酸镁放入高温炉中，以1～10℃/min的升温速度从室温加热至600℃，保持2小时得到保持针状外形的氧化镁；二氧化镁晶体结构转变将步骤一得到的氧化镁放入已经升温到1000～2000℃的高温炉中，煅烧2～48小时，转变氧化镁的晶体结构，然后自然冷却到室温，获得到氧化镁晶须。
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