[发明专利]涂层的处理方法及利用该方法制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 02121528.6 | 申请日： | 2002-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1389907A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 藤井恭;饭田启之;佐藤功;胁屋和正;横井滋 | 申请（专利权）人： | 东京応化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层,通过光刻胶图案进行蚀刻处理后,利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法,在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时,不仅不会损伤到SiO2类涂层,而且可维持较低的介电系数。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 处理 方法 利用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种涂层处理方法，在衬底上形成介电系数低于2.7的二氧化硅类涂层，通过光刻胶图案蚀刻处理该二氧化硅类涂层后，再用氦气产生的等离子体处理上述经蚀刻处理后的二氧化硅类涂层，之后湿剥离处理上述光刻胶图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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