[发明专利]半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法有效
| 申请号： | 02121628.2 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1389899A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;秋元健吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 就涉及用于在衬底上具有使用薄膜晶体管的集成电路的半导体器件的制造方法的技术来说,问题是提供形成具有畸变的非晶硅的条件。在使用溅射法对非晶硅膜的淀积过程中,给出了15－25kHz的频率和0.5－3kW的淀积功率的条件。这可以充足地在非晶硅膜中包含10×1020/cm3或更多的Ar,这样就使得形成具有畸变的非晶硅膜成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成非晶半导体膜的方法，所述方法包括：通过将惰性气体在0.1Pa-5Pa的淀积压力下引入淀积室借助溅射法在淀积室中形成非晶半导体膜，其中溅射法是在通过应用交流电产生辉光放电的条件下实施的；并且其中1×1019/cm3-1×1022/cm3的惰性气体元素包含在非晶半导体膜中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
