[发明专利]半导体存储器件、其控制方法以及半导体器件的控制方法

摘要

在一种具有多个操作模式并且可以通过所需的最少控制执行对每个模式的内部信号的切换控制而减少消耗的电流的半导体存储器件、其控制方法以及半导体存储器件的控制方法中，提供地址切换电路(13)，用于在刷新模式时把来自刷新计数器(14)的刷新地址ADD(Ref)作为内部地址ADD(Int)，并且在数据输入/输出模式时把外部地址ADD(R/W)作为内部地址ADD(Int)；模式识别电路(11)，用于识别刷新操作请求信号REQ(Ref)和数据输入/输出请求信号REQ(R/W)，并且输出模式识别信号M；以及切换保持电路，用于根据模式识别信号M输出开关切换信号SW，并且仅仅在模式改变时切换地址切换电路(13)的连接。

主权项

1.一种半导体存储器件，其中在执行对存储单元的存取操作时，内部状态具有两个或多个不同的操作模式，该半导体存储器件包括：模式识别部分，用于在每个操作周期识别一个操作模式，该操作周期由用于执行存取操作的一个操作期和从该操作期结束到下个操作期开始的等待期作为一个单位所构成；切换部分，用于在内部状态之间切换；以及切换控制部分用于根据在模式识别部分获得的识别结果，把切换控制信号输出到切换部分，其中在操作周期开始之前的等待期中，不输出该切换控制信号，而是在该操作周期开始之后的操作期中输出该信号。