[发明专利]高密度多匝微线圈及其制造方法有效
| 申请号： | 02121752.1 | 申请日： | 2002-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1463014A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梁佩芳;庄世玮;范光钱;郭承忠 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01F5/00 | 分类号： | H01F5/00;H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度多匝微线圈及其制造方法，在结构上，其包括了：基板、与基板垂直的多匝微线圈组、导磁柱与厚膜光阻结构；本发明运用厚膜光阻结构来支撑悬空于基板之上的多匝微线圈组与导磁柱；在制造流程上，先形成厚膜光阻结构，再完成其中所包含的多匝微线圈组所需的信道，接着，再注入低熔点的导电材料进入厚膜光阻结构的信道当中，即可完成本发明的高密度多匝微线圈。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 多匝微 线圈 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度多匝微线圈，其特征在于，包含：一基板；多数个多匝微线圈，形成于该基板上且其线圈面垂直于该基板，该多数个多匝微线圈彼此两两相接，以微线圈的内圈端点接至另一微线圈的外圈端点，并在头尾两端的多匝微线圈各延伸一端点作为电性连接点与一外部电路连接而形成一回路，用以接收该外部电路的电流而产生磁场；及一厚膜光阻结构，形成于该基板上并包覆该多数个多匝微线圈，同时在结构上支撑该多数个多匝微线圈结构。
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