[发明专利]曝光掩模的制造方法及其应用有效
申请号: | 02121780.7 | 申请日: | 2002-05-31 |
公开(公告)号: | CN1389902A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 伊藤正光 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供有效的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半导体装置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服务器,可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。包括对多个掩模基板的每一个,取得表示主面的表面形状及吸附到曝光装置的掩模台前后的主面的平整度;制备在吸附到曝光装置的掩模台之前后都具有平整度良好的表面形状的掩模基板;在此掩模基板上形成所希望的图形而生成曝光掩模。 | ||
搜索关键词: | 曝光 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种曝光掩模的制造方法,其特征在于包括:对多个掩模基板的每一个,取得表示主面的表面形状的第一信息和表示吸附到曝光装置的掩模台前后的上述主面的平整度的第二信息的工序;作成上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的对应关系的工序;从作成的对应关系中选择表示所希望的平整度的第二信息,将具有与所选择的此第二信息有着上述对应关系的第一信息所表示的表面形状相同的表面形状的掩模基板,以与上述多个掩模基板有别的方式进行另外制备的工序;以及在制备的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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