[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02121782.3 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1428865A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 行川敏正;宫野信治;铃木淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/12;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体衬底具有体区和埋入绝缘膜及空洞区的一方上形成的半导体区。体区包括多个存储单元、读出放大器和列选择门，半导体区包括字线选择电路和列选择电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件包括：半导体衬底内形成的体区；以及上述半导体衬底内的埋入绝缘膜和空洞区的一方上形成的半导体区，上述体区包含：含有行列状配置且连接位线和字线的多个存储单元的存储单元阵列；连接到上述存储单元阵列的上述位线的读出放大器，上述读出放大器读出并放大上述位线上的电位；以及把上述读出放大器连接到第1数据线的列选择门，上述半导体区包含：选择上述字线的字线选择电路；以及选择上述列选择门的列选择电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
