[发明专利]半导体存储器有效

专利信息
申请号: 02121786.6 申请日: 2002-05-31
公开(公告)号: CN1419243A 公开(公告)日: 2003-05-21
发明(设计)人: 奥山好明;藤岡伸也;原浩太;森胜宏 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40;H01L27/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 冯赓宣
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 冗余存储器电路保存指出有缺陷的存储单元行的缺陷地址。冗余控制电路禁用对应于冗余存储器电路中保存的缺陷地址的有缺陷的存储单元行,启用包含有缺陷的存储单元行的存储块中的冗余存储单元行。此外,在其它存储块中,冗余控制电路禁用对应于有缺陷的存储单元行的存储单元行,启用代替这些存储单元行的冗余存储单元行。从而,不仅存在有缺陷的存储单元行的存储块被解除,而且其它存储块中的存储单元行其中的一个也被解除。因此,可在所有存储块之间共用冗余存储器电路,从而减少冗余存储器电路的数量。结果可减小半导体存储器的芯片尺寸。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1、一种半导体存储器,包括:彼此在不同时间工作的多个存储块,每个存储块包括多个包含存储单元的存储单元行和一个包含冗余存储单元的冗余存储单元行,所述冗余存储单元行用于解除所述多个存储单元行中有缺陷的存储单元行;一个冗余存储器电路,包括把指出存在于任意所述存储块中的所述有缺陷的存储单元行的缺陷地址保存为地址信息的第一存储元件;和一个冗余控制电路,用于接收所述地址信息,禁用对应于所述冗余存储器电路中保存的所述缺陷地址的所述有缺陷的存储单元行,并且启用包含所述有缺陷存储单元行的所述存储块中的所述冗余存储单元行,禁用对应于所述有缺陷存储单元行的所述存储单元行,启用其余的所述存储块中的所述冗余存储单元行,其中:所述存储单元行均包括用于选择所述存储单元的选择线;并且所述冗余控制电路包括首先直接接收保存在所述第一存储元件中的所述地址信息的第一接收电路,和根据接收的所述地址信息禁用所述存储单元行其中的一个的第一开关电路,所述第一接收电路和所述第一开关电路形成于所述存储块其中的一个中,以及接收通过首先直接接收所述地址信息的存储块的所述选择线传送的所述地址信息的第二接收电路,和根据接收的所述地址信息禁用所述存储单元行其中的一个的第二开关电路,所述第二接收电路和所述第二开关电路分别形成于除具有所述第一接收电路和所述第一开关电路之外的所述存储块中。
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