[发明专利]使用铬膜辅助图形的无铬膜相转移光罩无效
申请号: | 02122045.X | 申请日: | 2002-05-29 |
公开(公告)号: | CN1462908A | 公开(公告)日: | 2003-12-24 |
发明(设计)人: | 林金隆;杨春晖;洪文田 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹科 *** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种用于在集成电路中用于光学微影制程的相转移光罩,包含:一第一透明平板;一第一不透明膜位于第一透明平板上,第一不透明膜具有一第一图案并形成一主要特征图案,第一图案将影像映射至一光阻层上且光阻层涂布在一晶片上;至少一个相转移区域,它位于第一透明平板上;至少两个第二透明平板邻近于第一透明平板;及至少两个不透明膜位于至少两个第二透明平板上,至少两个不透明膜具有至少两个特征图案,它们位于第一不透明膜的第一图案的边缘且与第一不透明膜的第一图案分开,及至少两个特征图案映射至具有相转移区域及第一图案的芯片上。本发明的相转移光罩不需使用到小块的无铬膜图案,并且使缺陷发生的机率会降低。 | ||
搜索关键词: | 使用 辅助 图形 无铬膜相 转移 | ||
【主权项】:
1.一种用于在集成电路中用于光学微影制程的相转移光罩,其特征在于,该相转移光罩包含:一第一透明平板;一第一不透明膜位于该第一透明平板上,其中该第一不透明膜具有一第一图案并形成一主要特征图案,该第一图案将影像映射至一光阻层上且该光阻层涂布在一晶片上;至少一个相转移区域,该相转移区域位于该第一透明平板上;至少两个第二透明平板邻近于该第一透明平板;及至少两个不透明膜位于至少两个第二透明平板上,该至少两个不透明膜具有至少两个特征图案,其中该至少两个特征图案位于该第一不透明膜的该第一图案的边缘且与该第一不透明膜的该第一图案分开,及该至少两个特征图案映射至具有该相转移区域及该第一图案的该芯片上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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